名詞: n.
氧化銦錫 (ITO，或者摻錫氧化銦)是一種銦（III族）氧化物 (In2O3) and 錫（IV族）氧化物 (SnO2)的混合物，通常質量比為90% In2O3，10% SnO2。它在薄膜狀時，為透明無色。在塊狀態時，它呈黃偏灰色。

氧化銦錫主要的特性是其電學傳導和光學透明的組合。然而，薄膜沉積中需要作出妥協，因為高濃度電荷載流子將會增加材料的電導率，但會降低它的透明度。

氧化銦錫薄膜最通常是用電子束蒸發、物理氣相沉積、或者一些濺射沉積技術的方法沉積到表面。

因為銦的價格高昂和供應受限、ITO層的脆弱和柔韌性的缺乏、以及昂貴的層沉積要求真空，其它取代物正被設法尋找。碳奈米管導電鍍膜是一種有前景的替代品。這類鍍膜正在被Eikos發展成為廉價、力學上更為健壯的ITO替代品。PEDOT和PEDOT:PSS已經被愛克發和H.C. Starck製造出來.PEDOT:PSS層已經進入應用階段（但它也有當暴露與紫外輻射下時它會降解以及一些其他的缺點）。別的可能性包括諸如鋁-參雜的鋅氧化物。

詞條貢獻者： Fancie   xxysh  
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